"Wielordzeniowe" kości pamięci?
18 stycznia 2008, 12:16Współczesne procesory stały się tak wydajne, że nie nadążają za nimi układy pamięci, stając się w ten sposób wąskim gardłem systemu kompuerowego i innych urządzeń. Kryptograf Joseph Ashwood mówi, że znalazł rozwiązanie.
Ekran na oko
18 stycznia 2008, 00:59Sztuczne udoskonalanie istot żywych – jeden z rekwizytów fantastyki naukowej – jest także przedmiotem badań naukowych. Najnowszym osiągnięciem, jakim może się w tej dziedzinie poszczycić University of Washington, są soczewki kontaktowe z wbudowanymi obwodami elektronicznymi oraz diodami świecącymi.
Pamiętliwa pianka
2 stycznia 2008, 23:35Elastyczne twory, które zmieniają kształt pod wpływem niewidzialnych sił – okazuje się, że w taki sposób można będzie opisywać nie tylko rekwizyty z powieści fantastycznych, ale też przedmioty codziennego użytku. Stanie się tak za sprawą dwóch zespołów badawczych, kierowanych przez Peter Müllnera z Boise State University oraz Davida Dunanda z Northwestern University. Pracują one bowiem nad tzw. piankami magnetycznymi z pamięcią kształtu (ang. magnetic shape-memory foams) – materiałami, które można ściskać i rozciągać za pomocą pola magnetycznego.
Trwają prace nad hybrydowym półprzewodnikiem
20 grudnia 2007, 11:30Hybrydowy półprzewodnik może posłużyć w przyszłości do stworzenia układów scalonych wyjątkowo odpornych na wysokie temperatury. Badacze z Narodowego Laboratorium Energii Odnawialnej (National Renewable Energy Laboratory – NREL) i Argonne National Laboratory przedstawili wyniki swoich badań nad półprzewodnikiem, który nie rozszerza się pod wpływem ciepła (zero thermal expansion – ZTE).
Tranzystor obchodzi 60 lat?
16 grudnia 2007, 10:41Tranzystor, jeden z najważniejszych wynalazków ludzkości, w powszechnej opinii obchodzi dzisiaj 60 lat. Uznaje się, że został wynaleziony 16 grudnia 1947 roku przez Johna Bardeena, Waltera Brattaina i Willima Shockleya z Bell Labs. Do jego zbudowania inżynierowie użyli kawałka papieru oraz folii z germanu i złota. Okazało się, że urządzenie stukrotnie zwiększa natężenie prądu i działa jak przełącznik.
Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
Papier wielokrotnego użytku
8 grudnia 2007, 00:25Firma Fuji Xerox zaprezentowała elektroniczny papier, na którym można umieszczać kolorowe obrazy. Prototypy wykonano w innej technologii niż najpopularniejsze obecnie modele firmy E-Ink, jednak odznaczają się one typowymi cechami e-papieru, tzn. zachowują obraz bez konieczności zasilania, wyglądem przypominają zwykły papier, a ponadto są bardzo cienkie i elastyczne.
Wielozadaniowe nanocząsteczki kontra nowotwór
6 grudnia 2007, 11:55Obecnie onkolodzy, gdy chcą sprawdzić, czy chemioterapia, której poddany został pacjent, jest skuteczna, muszą odczekać kilka tygodni i sprawdzić czy guz się zmniejszył. Prace naukowców z MIT-u mogą przyczynić się z jednej strony do skrócenia tego procesu, a z drugiej – do zmniejszenia skutków ubocznych chemioterapii.
Superkomputer w laptopie
6 grudnia 2007, 11:14Badacze IBM-a uważają, że w przyszłości możliwe będzie stworzenie superkomputera wielkości laptopa. Koncern uważa, że do komunikacji pomiędzy rdzeniami procesora można wykorzystać światło zamiast elektryczności, a to stukrotnie zwiększyłoby prędkość przesyłu danych.
Szybkie i nieulotne
5 grudnia 2007, 23:29Japoński NEC informuje o opracowaniu najszybszych do tej pory układów pamięci MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory). Kości tego typu odznaczają się cechami, które mogą istotnie odmienić sposób, w jaki korzystamy z komputerów oraz wszelkich urządzeń cyfrowych. W obecnej postaci można już nimi bezpośrednio zastąpić pamięci statyczne (ang. Static RAM).
